Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
доктор технических наук, руководитель центра освоения цифровых технологий в строительстве, заведующий кафедрой строительства подземных сооружений и горных предприятий НИТУ МИСИС Александр Панкратенко
Открытка ко Дню строителясегодня, в 09:25
Фасад НИТУ МИСИС
Фасад МИСИС