Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
В МИСИС обсудили запуск программы развития технологии квантовых сенсоров в РФ
Нефтеперерабатывающий завод. Фото сгенерировано нейросетью.
Системный аналитик: профессия, где ИТ встречаются с бизнесом
Торжественная церемония