Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
Эксперты на сессии
Игорь Блинков сидит за рабочим столом, портретное фото
Учёные НИТУ МИСИС
Дмитрий Московских, директор НИЦ «Конструкционные керамические наноматериалы» стоит в лаборатории около оборудования